大家在查： zgshj Shcming 供电能力 FDL unfilmable 2]， 劳利斯 道格拉斯·菲尔 University Undergraduates' Coccu

电常数介电

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例句：
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NTBI induced device degradation can be suppressed by a SiN capping layer between Poly-Si gate and high k dielectric layer.
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