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Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor

东芝在闪存电路中创造了一个隧道层,用来在SONOSSilicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor)类型设备结构中控制电子 …

诺思科技有限公司

【北京搜诺思科技有限公司SONOS)】(地点:北京 | 时间:2012年09月19日)【广州市浩如海通讯科技有限公司】(地点:广州 | …

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氧化氮氧化硅(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon)

在这种传输电压下,薄隧道氧化物硅氧化氮氧化硅 (SONOS) 设备可实现软件编程,该解决 方案已将隧道氧化物层从最初的 2.5…

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...,目前已有厂商正开发可延用至22奈米或更低制程的矽氧化氮氧化矽(SONOS)技术,可望突破快闪记忆体的制程极限。

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