HVPE
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- 网络氢化物气相外延；氢化物汽相外延(hydride vapor phase epitaxy)；氢化物汽相外延片
HVPEHVPE
氢化物气相外延
在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN过程中,发现了一种在成核阶段向生长区添加额外HCl来改善GaN外延薄膜质量的方法,并且讨 …
氢化物汽相外延(hydride vapor phase epitaxy)
目前主要研究领域包括两个方面，一是氢化物汽相外延（HVPE）方法的GaN衬底材料制备以及HVPE设备研制，二是石墨烯薄 …
氢化物汽相外延片
...技术主要有以下几种：1.改进两 步法生长工艺；2.氢化物汽相外延片(hvpe)技术 ；3.选择性外延片生长或侧向外 延片生长技 …
卤化物汽相外延(halide vapor phase epitaxy)
...(PCVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、卤化物汽相外延 (HVPE)、分子束外延(MBE)、原子束外延（ALE）、液相生长 …
氢化物气相外延生长
氢化物气相外延生长（HVPE）的生长 速率显著加快，尽管其非常适合厚GaN缓冲层的生长，却并不适合薄纳米层和InGaN 合 …